SK하이닉스, '12단 적층' HBM3 메모리 세계 최초 개발

SK하이닉스, '12단 적층' HBM3 메모리 세계 최초 개발

HBM3 24GB 제품 개발…고객사에 샘플 제공
D램 12개 수직적층·첨단 D램 시장 주도권 강화
'AI 챗봇 시장 확대' 메모리 수요 맞춰 하반기 공급

SK하이닉스가 세계 최초로 12단 적층 4세대 고대역폭메모리(HBM3·High Bandwidth Memory)를 개발하는 데 성공했습니다.

HBM는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 현존 최고 성능 D램으로, 여러 개의 D램을 수직으로 연결하는 것이 핵심 기술력 중 하나입니다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔습니다.

이 제품은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB의 기존 HBM3보다 최대 용량이 50% 확대한 고부가가치, 고성능 제품입니다. SK하이닉스의 HBM3는 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현하며, FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송할 수 있습니다.

HBM3 24GB(기가바이트) 제품. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 한정된 공간 위에 D램을 안정적으로 쌓아올리는 데 성공하며 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰습니다. SK하이닉스는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이다. 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌습니다.

SK하이닉스는 "최근 AI 챗봇(Chatbot·인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 강조했습니다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'와 'TSV' 기술을 적용했다고 밝혔습니다. 어드밴스드 MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정입니다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 기존 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었습니다.

또 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술의 일종인 TSV(Through Silicon Via)를 통해 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결했습니다. D램 칩의 두께가 40% 얇아져, 기존 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했습니다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있습니다. 특히 이 회사가 지난해 6월 세계 최초로 양산한 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있습니다.

홍상후 부사장은 "당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했습니다.

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